日前，日本led芯片制造商日亞（Nichia）采用MOCVD法制備出光效超越Cree（20 mA 下131 lm/W）的白光led芯片。其中，較小尺寸（240 µm x 420 µm）芯片20mA下的光效為138 lm/W ，色溫、電光效率和正向電壓（20 mA）分別為5450K、41.7%和3.11 V；較大尺寸（1 mm x1 mm）芯片350 mA下的光效為92 lm/W，盡管大尺寸芯片的色溫及效率明顯低于小尺寸芯片，但在350 mA 和2A下，其光通量依然可達(dá)106 lm和402 lm，與30W白熾燈的總光通量相當(dāng)。
兩種芯片均采用ITO透明材料做為p型電極，通過InGaN/GaN led激發(fā)黃色YAG 熒光粉生成白光，其光效的提高主要取決于外量子效率的提高及使用具有六邊形突起的藍(lán)寶石襯底（可散射更多有源層發(fā)射光）。
日亞通過脈沖工作模式 （200Hz 的重復(fù)周期，占空比為1%）獲得這一成果，并在氮化物國(guó)際研討會(huì)上（東京）進(jìn)行了展示，更多詳情將在日本應(yīng)用物理雜志(JJAP)45 L1084-L1086上予以透露。
