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美國推出光功率倍增的藍(lán)色LED芯片

  • 發(fā)布日期:2007-01-10 瀏覽次數(shù)846
美國Cree公司推出了通入350毫安電流時(shí),光功率達(dá)370毫瓦的高功率藍(lán)色發(fā)光二極管芯片“EZBright1000”,光功率為該公司原產(chǎn)品的2倍以上。如果將通入電流提高到1安培,則光功率可增至800毫瓦。適用于一般照明設(shè)備、車載設(shè)備、液晶面板的背照燈以及使用led作為光源的投影機(jī)等需要較高光功率的設(shè)備。

  制作白色led時(shí),需要將藍(lán)色led芯片與熒光體材料進(jìn)行組合。在2006年6月舉辦的2006年LED技術(shù)研討會(huì)上,Cree表示如果藍(lán)色led芯片的光功率達(dá)到360毫瓦左右,則可得到每瓦為100流明的白色LED。由此可以推測,使用此芯片即可制成每瓦為100流明的高功率白色LED。

  EZBright1000在通入350毫安電流時(shí)的正向電壓為標(biāo)準(zhǔn)3.3伏。包括光功率最小分別為200毫瓦及300毫瓦的兩種型號,各型號又分別備有發(fā)光波長在450nm±5nm、460nm±5nm、470nm±5nm范圍的產(chǎn)品。芯片的安裝尺寸為980μm×980μm。芯片厚度為100μm。芯片的上表面設(shè)有負(fù)電極,下表面設(shè)有正電極。

 

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