功率型led分為功率led和W級(jí)功率LED兩種。功率LED的輸入功率小于1W(幾十毫瓦功率LED除外)；W級(jí)功率LED的輸入功率等于或大于1W。

國(guó)外功率型led封裝技術(shù)

(1)功率LED

   最早有HP公司于20世紀(jì)90年代初推出“食人魚”封裝結(jié)構(gòu)的LED，并于1994年推出改進(jìn)型的“Snap LED”，有兩種工作電流，分別為70mA和150mA，輸入功率可達(dá)0.3W。接著OSRAM公司推出“Power TOP LED”。之后一些公司推出多種功率LED的封裝結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)的功率LED比原支架式封裝的LED輸入功率提高幾倍，熱阻降為幾分之一。

(2)W級(jí)功率LED

    W級(jí)功率LED是未來照明的核心部分，所以世界各大公司投入很大力量，對(duì)W級(jí)功率LED的封裝技術(shù)進(jìn)行研究開發(fā)。

    單芯片W級(jí)功率LED最早是由Lumileds公司于1998年推出的LUXEON LED，該封裝結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是采用熱電分離的形式，將倒裝芯片用硅載體直接焊接在熱沉上，并采用反射杯、光學(xué)透鏡和柔性透明膠等新結(jié)構(gòu)和新材料，現(xiàn)可提供單芯片1W、3W和5W的大功率led。OSRAM公司于2003年推出單芯片的“Golden Dragon”系列LED，其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是熱沉與金屬線路板直接接觸，具有很好的散熱性能，而輸入功率可達(dá)1W。

    多芯片組合封裝的大功率led，其結(jié)構(gòu)和封裝形式較多。美國(guó)UOE公司于2001年推出多芯片組合封裝的Norlux系列LED，其結(jié)構(gòu)是采用六角形鋁板作為襯底。Lanina Ceramics公司于2003年推出了采用公司獨(dú)有的金屬基板上低溫?zé)Y(jié)陶瓷(LTCC-M)技術(shù)封裝的大功率LED陣列。松下公司于2003年推出由64只芯片組合封裝的大功率白光LED。日亞公司于2003年推出號(hào)稱是全世界最亮的白光LED，其光通量可達(dá)600lm，輸出光束為1000lm時(shí)，耗電量為30W，最大輸入功率為50W，提供展覽的白光LED模塊發(fā)光效率達(dá)33lm/W。

    有關(guān)多芯片組合的大功率LED，許多公司根據(jù)實(shí)際市場(chǎng)需求，不斷開發(fā)出很多新結(jié)構(gòu)封裝的新產(chǎn)品，其開發(fā)研制的速度非?？?。

國(guó)內(nèi)功率型led封裝技術(shù)

    國(guó)內(nèi)LED封裝產(chǎn)品的品種較齊全，據(jù)初步估計(jì)，全國(guó)LED封裝廠超過200家，封裝能力超過200億只/年，封裝的配套能力也很強(qiáng)。但是很多封裝廠為私營(yíng)企業(yè)，規(guī)模偏小。但我國(guó)臺(tái)灣UEC公司(國(guó)聯(lián))采用金屬鍵合(Metal Bonding)技術(shù)封裝的MB系列大功率LED的特點(diǎn)是，用Si代替GaAs襯底，散熱好，并以金屬黏結(jié)層作光反射層，提高光輸出。

    對(duì)于大功率LED封裝技術(shù)的研究開發(fā)，目前國(guó)家尚未正式支持投入，國(guó)內(nèi)研究單位很少介入，封裝企業(yè)投入研發(fā)的力度(人力和財(cái)力)還很不夠，形成國(guó)內(nèi)對(duì)封裝技術(shù)的開發(fā)力量薄弱的局面，封裝的技術(shù)水平與國(guó)外相比還有相當(dāng)?shù)牟罹唷?BR>