高亮度led雖然具備了更省電、使用壽命更長(zhǎng)及反應(yīng)時(shí)間更快等優(yōu)點(diǎn)，但仍得面對(duì)靜電釋放（ESD）損害和熱膨脹系數(shù)（TCE）等效能瓶頸；本文將提出一套采次黏著基臺(tái)（Submount）的進(jìn)階封裝方式，以有效發(fā)揮led的照明效益。
高亮度LED（High-brightness Light Emitting Diodes；HB LED）的出現(xiàn)，在照明產(chǎn)業(yè)中掀起了一股狂潮。相較于傳統(tǒng)的白熱燈泡，HB LED因具備了更省電、使用壽命更長(zhǎng)及反應(yīng)時(shí)間更快等主要優(yōu)點(diǎn)，因此很快的搶占了LCD背光板、交通號(hào)志、汽車(chē)照明和招牌等多個(gè)市場(chǎng)。
HB LED的主導(dǎo)性生產(chǎn)技術(shù)是InGaN，但此技術(shù)仍有一些瓶頸需要克服，目前掌握前瞻技術(shù)的業(yè)者紛紛針對(duì)這些瓶頸提出新的解決方案，希望能進(jìn)一步拓展HB LED的市場(chǎng)。這些瓶頸中以靜電釋放（electrostatic discharge；ESD）敏感性和熱膨脹系數(shù)（thermal coefficient of expansion ；TCE）為兩大議題，其困難如下所述：
熱處理（Thermal Management）
相較于LED 晶粒（die）的高效能特性，目前多數(shù)的封裝方式很明顯地?zé)o法滿足今時(shí)與未來(lái)的應(yīng)用需求。對(duì)于HB LED的封裝廠商來(lái)說(shuō)，一個(gè)主要的挑戰(zhàn)來(lái)自于熱處理議題。這是因?yàn)樵诟邿嵯?，晶格?huì)產(chǎn)生振動(dòng)，進(jìn)而造成結(jié)構(gòu)上的改變（如回饋回路變成正向的），這將降低發(fā)光度，甚至令LED無(wú)法使用，也會(huì)對(duì)交錯(cuò)連結(jié)的封入聚合體（encapsulating polymers）造成影響。
僅管一些測(cè)試顯示，在晶粒（die）的型式下，即使電流高到130mA仍能正常工作；但采用一般的封裝后，LED只能在20mA的條件下發(fā)光。這是因?yàn)楫?dāng)芯片是以高電流來(lái)驅(qū)動(dòng)時(shí)，所產(chǎn)生的高熱會(huì)造成銅導(dǎo)線框（lead-frame）從原先封裝好的位置遷移。因此在芯片與導(dǎo)線框間存在著TCE的不協(xié)調(diào)性，這種不協(xié)調(diào)性是對(duì)LED可靠性的一大威脅。
靜電釋放（ESD）
對(duì)電子設(shè)備的靜電損害（Electrostatic damage；ESD）可能發(fā)生在從制造到使用過(guò)程中的任何時(shí)候。如果不能妥善地控制處理ESD的問(wèn)題，很可能會(huì)造成系統(tǒng)環(huán)境的失控，進(jìn)而對(duì)電子設(shè)備造成損害。InGaN 晶粒一般被視為是"Class 1"的設(shè)備，達(dá)到30kV的靜電干擾電荷其實(shí)很容易發(fā)生。在對(duì)照試驗(yàn)中，10V的放電就能破壞Class 1 對(duì)ESD極敏感的設(shè)備。研究顯示ESD對(duì)電子產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)備的損害每年估計(jì)高達(dá)50億美元，至于因ESD受損的LED則可能有變暗、報(bào)銷(xiāo)、短路，及低Vf （forward voltage）或 Vr（reverse voltage）等現(xiàn)象。
以Submount技術(shù)突破瓶頸。
為了突破這些InGaN LED瓶頸，CAMD公司提出一項(xiàng)特殊的解決方式。采用與醫(yī)學(xué)用生命支持設(shè)備相同的技術(shù)，CAMD發(fā)展出一種硅載體（Silicon Carrier）或次黏著基臺(tái)（Submount），以做為InGaN芯片與導(dǎo)線框之間的內(nèi)部固著介質(zhì)；當(dāng)透過(guò)齊納二極管（Zener Diodes）來(lái)提供ESD保護(hù)的同時(shí)，這種Submount設(shè)計(jì)也能降低TCE不協(xié)調(diào)性的沖擊。
(圖一)顯示一個(gè)基本硅材質(zhì)Submount如何將兩個(gè)焊球與覆晶LED接合在一起的情況，在球體區(qū)域所見(jiàn)到的不同顏色圓圈是用來(lái)保護(hù)LED免受ESD損害的二極管架構(gòu)。此架構(gòu)除了能安全的抵銷(xiāo)高達(dá)30kV的接觸放電，更超過(guò)IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)對(duì)最大值的要求。硅材質(zhì)與焊球扮演著振動(dòng)吸收器，以疏緩熱膨脹效應(yīng)。
(圖一) Silicon Submount架構(gòu)上視剖析圖
這樣做還有一些明顯的好處：以Submount粘著焊球，可以使LED晶粒緊密地與Submount接合在一起，再經(jīng)由打線連接到導(dǎo)線框。這種方式能降低因直接打線到LED晶粒所產(chǎn)生的遮光影響。
在圖一所示的Submount兩邊都有綠色的矩形區(qū)域，這是打線的區(qū)域。此外，因?yàn)镾ubmount是一個(gè)光滑的硅表面，其上是鋁金屬層，因此能將一般損失掉的光度有效的反射出去。圖一中的覆蓋了大部分Submount的藍(lán)色區(qū)域，即是高反射性的鋁金屬層，它的作用猶如LED的一面反射鏡。
在LED的背面一般以金覆蓋，以提供最佳化的熱傳導(dǎo)，以及芯片與導(dǎo)線框、銅散熱器的高度接合度。
(圖二)顯示此一解決方案的完整封裝結(jié)構(gòu)，其中LED晶粒與Submount上頭的焊球接合，此一次組合被鑲嵌在整個(gè)LED 封裝中；Submount再打線到導(dǎo)線框，以
