新型垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)如下，中間媒介層層疊在生長襯底上，該中間媒介層的表面層是金屬層，氮化鎵基外延層層疊在該金屬層上，氮化鎵基外延層包括發(fā)光層，具有優(yōu)化圖形的第二電極層疊在氮化鎵基外延層上，在預(yù)定區(qū)域蝕刻氮化鎵基外延層直到該金屬層暴露，第一電極層疊在該金屬層的暴露區(qū)域上，因此，不但具有垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管的優(yōu)點(diǎn)，例如，電流分布均勻，電流擁塞改善，電流密度增大，充分利用發(fā)光層的材料，光取出效率提高，而且不需要目前尚不成熟的剝離生長襯底等制造傳統(tǒng)的垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管的工藝步驟。