微機(jī)電制作技術(shù)，尤其是最大宗以硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的微細(xì)加工技術(shù)(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半導(dǎo)體組件的制程技術(shù)，所以必須先介紹清楚這類制程，以免淪于夏蟲語冰的窘態(tài)。

 　  一、潔凈室
     一般的機(jī)械加工是不需要潔凈室(clean room)的，因?yàn)榧庸し直媛试跀?shù)十微米以上，遠(yuǎn)比日常環(huán)境的微塵顆粒為大。但進(jìn)入半導(dǎo)體組件或微細(xì)加工的世界，空間單位都是以微米計(jì)算，因此微塵顆粒沾附在制作半導(dǎo)體組件的晶圓上，便有可能影響到其上精密導(dǎo)線布局的樣式，造成電性短路或斷路的嚴(yán)重后果。  
     為此，所有半導(dǎo)體制程設(shè)備，都必須安置在隔絕粉塵進(jìn)入的密閉空間中，這就是潔凈室的來由。潔凈室的潔凈等級，有一公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)，以class 10為例，意謂在單位立方英呎的潔凈室空間內(nèi)，平均只有粒徑0.5微米以上的粉塵10粒。所以class后頭數(shù)字越小，潔凈度越佳，當(dāng)然其造價(jià)也越昂貴(參見圖2-1)。
  　為營造潔凈室的環(huán)境，有專業(yè)的建造廠家，及其相關(guān)的技術(shù)與使用管理辦法如下：
    1、內(nèi)部要保持大于一大氣壓的環(huán)境，以確保粉塵只出不進(jìn)。所以需要大型鼓風(fēng)機(jī)，將經(jīng)濾網(wǎng)的空氣源源不絕地打入潔凈室中。
    2、為保持溫度與濕度的恒定，大型空調(diào)設(shè)備須搭配于前述之鼓風(fēng)加壓系統(tǒng)中。換言之，鼓風(fēng)機(jī)加壓多久，冷氣空調(diào)也開多久。
    3、所有氣流方向均由上往下為主，盡量減少突兀之室內(nèi)空間設(shè)計(jì)或機(jī)臺擺放調(diào)配，使粉塵在潔凈室內(nèi)回旋停滯的機(jī)會與時(shí)間減至最低程度。
    4、所有建材均以不易產(chǎn)生靜電吸附的材質(zhì)為主。
    5、所有人事物進(jìn)出，都必須經(jīng)過空氣吹浴 (air shower) 的程序，將表面粉塵先行去除。
    6、人體及衣物的毛屑是一項(xiàng)主要粉塵來源，為此務(wù)必嚴(yán)格要求進(jìn)出使用人員穿戴無塵衣，除了眼睛部位外，均需與外界隔絕接觸 (在次微米制程技術(shù)的工廠內(nèi)，工作人員幾乎穿戴得像航天員一樣。) 當(dāng)然，化妝是在禁絕之內(nèi)，鉛筆等也禁止使用。
    7、除了空氣外，水的使用也只能限用去離子水 (DI water, de-ionized water)。一則防止水中粉粒污染晶圓，二則防止水中重金屬離子，如鉀、鈉離子污染金氧半 (MOS) 晶體管結(jié)構(gòu)之帶電載子信道 (carrier channel)，影響半導(dǎo)體組件的工作特性。去離子水以電阻率 (resistivity) 來定義好壞，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；為此需動用多重離子交換樹脂、RO逆滲透、與UV紫外線殺菌等重重關(guān)卡，才能放行使用。由于去離子水是最佳的溶劑與清潔劑，其在半導(dǎo)體工業(yè)之使用量極為驚人！
    8、潔凈室所有用得到的氣源，包括吹干晶圓及機(jī)臺空壓所需要的，都得使用氮?dú)?(98%)，吹干晶圓的氮?dú)馍踔烈?9.8%以上的高純氮！    以上八點(diǎn)說明是最基本的要求，另還有污水處理、廢氣排放的環(huán)保問題，再再需要大筆大筆的建造與維護(hù)費(fèi)用!

  二、晶圓制作    
      硅晶圓 (silicon wafer) 是一切集成電路芯片的制作母材。既然說到晶體，顯然是經(jīng)過純煉與結(jié)晶的程序。目前晶體化的制程，大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky) 拉晶法 (CZ法)。拉晶時(shí)，將特定晶向 (orientation) 的晶種 (seed)，浸入過飽和的純硅熔湯 (Melt) 中，并同時(shí)旋轉(zhuǎn)拉出，硅原子便依照晶種晶向，乖乖地一層層成長上去，而得出所謂的晶棒 (ingot)。晶棒的阻值如果太低，代表其中導(dǎo)電雜質(zhì) (impurity dopant) 太多，還需經(jīng)過FZ法 (floating-zone) 的再結(jié)晶 (re-crystallization)，將雜質(zhì)逐出，提高純度與阻值。  
      輔拉出的晶棒，外緣像椰子樹干般，外徑不甚一致，需予以機(jī)械加工修邊，然后以X光繞射法，定出主切面 (primary flat) 的所在，磨出該平面；再以內(nèi)刃環(huán)鋸，削下一片片的硅晶圓。最后經(jīng)過粗磨 (lapping)、化學(xué)蝕平 (chemical etching) 與拋光 (polishing) 等程序，得出具表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圓。(至于晶圓厚度，與其外徑有關(guān)。) 
      剛才題及的晶向，與硅晶體的原子結(jié)構(gòu)有關(guān)。硅晶體結(jié)構(gòu)是所謂「鉆石結(jié)構(gòu)」(diamond-structure)，系由兩組面心結(jié)構(gòu) (FCC)，相距 (1/4,1/4,1/4) 晶格常數(shù) (lattice constant；即立方晶格邊長) 疊合而成。我們依米勒指針法 (Miller index)，可定義出諸如 ：{100}、{111}、{110} 等晶面。所以晶圓也因之有 {100}、{111}、{110}等之分野。有關(guān)常用硅晶圓之切邊方向等信息，請參考圖2-2。                  現(xiàn)今半導(dǎo)體業(yè)所使用之硅晶圓，大多以 {100} 硅晶圓為主。其可依導(dǎo)電雜質(zhì)之種類，再分為