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高亮度LED制程發(fā)展趨勢和高效率化技術(shù)(下)

  • 發(fā)布日期:2007-03-12 瀏覽次數(shù)586
如果不能實現(xiàn)好的長晶 一切都是白費功夫

    

       結(jié)晶生成對于led元件制造來說,是相當關(guān)鍵的技術(shù),同時也是高效率化研發(fā)的關(guān)鍵。無論怎么好的結(jié)構(gòu)層設(shè)計,如果不能實現(xiàn)好的長晶,一切都是白費功夫。在初期,量產(chǎn)的GaN led是face-up型的元件,在p側(cè)的接觸電極是采用透光性的薄膜電極,透過這個薄膜電極發(fā)光,而材料上則是使用Au合金電極,但是雖然具有透光性的特性,但是實際的透光度并不能滿足實際應(yīng)用的需求,因為通過電極的光系數(shù),或者反射而無法散發(fā)出的光相當?shù)亩啵沟冒l(fā)光效率一直無法獲得提升。因此隨后研發(fā)人員考量,因為face-up型的LED元件反射率很高,必須采用穩(wěn)定性高的材料作為電極,將光從藍寶石基板側(cè)發(fā)出,來提高發(fā)光通量。

    

       通常的led芯片有必要透過有機材料來固定,往往伴隨著這種封裝材料的熱量出現(xiàn),會使得光的質(zhì)量出現(xiàn)劣化,產(chǎn)生光輸出降低的問題。另一方面flip-chip的封裝之所以可以達到高發(fā)光效率,因為是將結(jié)晶層置于下方,利用bump金屬材料封裝在基板上,所以能夠有效率的把結(jié)晶層內(nèi)的熱量排除,而且因為不需要連接材料,所以穩(wěn)定性也相當高,用來作為照明用的大電流、大型元件,這是非常好的封裝設(shè)計。

    

       Flip Chip的封裝之所以可以達到高發(fā)光效率,因為是將結(jié)晶層置于下方,利用bump金屬材料封裝在基板上,所以能夠有效率的把結(jié)晶層內(nèi)的熱量排除。

    

       提高電極的可視光透過率 增加光通量

    

       最近也有工程師開始利用ITO作為透明導(dǎo)電膜,這是因為ITO電極的可視光透過率非常高,而且電極材料自身也不大會出現(xiàn)光吸收現(xiàn)象而造成光損耗,而且在光學(xué)設(shè)計上,本身折射率是GaN折射率和Mold材料樹脂的中間值,所以能夠大幅增加輸出效率。因為GaN系結(jié)晶折射率很高,所以在LED元件結(jié)晶內(nèi)部發(fā)出的光,并沒有透出而是在內(nèi)部反射,最終被材料所吸收。例如n-GaN層/藍寶石基板界面的臨界角是47度,p-GaN層/mold材料的epitaxial樹脂界面的臨界角是38度,一般LED的輸出效率至少是30%。因此如果能夠?qū)l(fā)光層發(fā)出的光全部透出的話,很有可能可以將LED的亮度增加到目前兩倍以上。

    

       LED構(gòu)造逐漸固定化之后的一兩年,關(guān)于這一方面的討論相當多,包括了n-GaN層/藍寶石基板界面以及p-GaN層表面等等。在n-GaN層/藍寶石基板界面上,最有代表性的研究是透過界面加工,制造出光學(xué)的凹凸,并且在所形成凹凸的藍寶石基板上生成結(jié)晶。界面作成凹凸形狀的理由是,這樣能夠大幅減少全反射損失,如果在結(jié)晶生成初期,在加上促進水平方向長成,就能夠減少結(jié)晶的缺陷,而使得發(fā)光效率大幅度的提升。

    

       另外,也有業(yè)者正在開發(fā),當藍寶石基板上進行長晶后,除去藍寶石基板以及物件界面的技術(shù)。這是因為在結(jié)晶生成后會形成反射性的電極,在這個電極上結(jié)合基板材料,然后再用雷射lift-off法除去藍寶石基板,在露出的n-GaN層上形成n接觸電極,當然這樣的話,n-GaN層/mold樹脂間界面的臨界角會比較小,使得光輸出效率非常差,為了克服這一個缺點,就必須在n-GaN表面增加光學(xué)的設(shè)計,因為設(shè)計和生產(chǎn)的自由度都很高,所以可能會有很大幅度的輸出效率提高,也會有flip chip的優(yōu)點。

    

       在p-GaN層表面技術(shù)方面,目前有相當多業(yè)者投入開發(fā)Photonic結(jié)晶技術(shù),所謂的Photonic結(jié)晶就是在光的波長周期性擁有折射率分布的構(gòu)造,能夠?qū)崿F(xiàn)一般物質(zhì)空間種無法實現(xiàn)的光的應(yīng)用。將p-GaN層進行蝕刻制程,在最表面形成Photonic結(jié)晶,能夠大幅提高光輸出效率,但是這是要求度非常高的微細制程技術(shù),而且在對p-GaN層加工時,會造成p-GaN層破壞,所以目前還是停留在研發(fā)的階段。Photonic結(jié)晶技術(shù)被發(fā)現(xiàn)后,在各領(lǐng)域的應(yīng)用有著相當令人激賞的表現(xiàn),一直是倍受研發(fā)者所關(guān)心的一項技術(shù),因為多是期望能夠回避日亞化學(xué)的藍光LED加螢光粉制技術(shù)專利。

    

       其它的高效率化技術(shù)

    

       利用增加電流也可以達到高亮度,但是單純的將元件大型化,透過提高電流實現(xiàn)高光度的話,是不能提高效率的,因為雖然將LED變的更亮,但是耗電量也隨之增加,并且也會損及LED的使用壽命,但是可以透過減少元件的熱負荷,來進一步提高發(fā)光效率,因為即使是一般尺寸的LED,可以因為在封裝基板上使用熱傳導(dǎo)性好的材料,來實現(xiàn)高效率化。GaN LE
 

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