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BluGlass新GaN制備工藝實(shí)現(xiàn)成本節(jié)約

  • 發(fā)布日期:2007-05-10 瀏覽次數(shù)487

  BluGlass委托的獨(dú)立公司-Williams & Kelly (WWK)對使用RPCVD(遙控等離子化學(xué)氣相沉積)在玻璃襯底上沉積的GaN led與MOCVD法制備的led進(jìn)行了建模比較,發(fā)現(xiàn)前者將外延片的生產(chǎn)成本降低了48%,單個(gè)LED的成本也下降了10%。
  由于RPCVD使用氮代替氨氣并將藍(lán)寶石襯底變成玻璃襯底,使得材料和一次性費(fèi)用減少了70%。而RPCVD本身工作溫度比MOCVD低,這意味著七年壽命周期后其運(yùn)行成本將比MOCVD少800萬美元。

  但RPCVD法在芯片級實(shí)現(xiàn)的成本節(jié)約卻不太明顯。假定藍(lán)寶石上GaN (GaN-on-sapphire)外延片和玻璃板上GaN(GaN-on-glass)外延片的后端加工成本相同,WWK的模型顯示RPCVD法制備的led芯片成本僅比傳統(tǒng)藍(lán)光led芯片低10%。
 

 

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