位于美國馬薩諸塞州陶頓（Taunton）的微型顯示器制造商Kopin公司，開發(fā)出了一種新穎的外延電阻性接點（Epitaxial Ohmic Contact）技術(shù)，該技術(shù)能夠在減小接點電阻的同時提高接點的穩(wěn)定性，這樣就可以制造出非常適合于諸如便攜式和商業(yè)照明應(yīng)用等苛刻環(huán)境的led。這一首次將單晶結(jié)點形成于氮化鎵（GaN）之上的研發(fā)成果有望實現(xiàn)比常用的多晶結(jié)點更為優(yōu)越的性能。
　　每根引線與襯底相連接的位置一直是led結(jié)構(gòu)設(shè)計中的一個突出的弱點，而且，接點的電阻也是改善電氣性能的一個障礙。提高接點的溫度穩(wěn)定性并減小其電阻可以降低物理遲滯和驅(qū)動電壓方面的要求。
　　接點是通過將金、鎳和金這三個金屬層沉積在一個p型GaN表面，并在空氣中進(jìn)行30分鐘470℃的退火處理的方法來形成的。與p-GaN相接觸的金層通過域匹配（Domain Matching）進(jìn)行外延生長，其作用是為通過晶格匹配（Lattice Matching）來進(jìn)行鎳氧化物的生長提供一個模板。
　　經(jīng)測量，采用該技術(shù)可實現(xiàn)約 10μΩ/cm2的接點電阻，并能在30分鐘的時間里耐受高達(dá)350℃的溫度。結(jié)合這家制造商的其他改進(jìn)措施，該技術(shù)能夠制造出只需2.9V（而非現(xiàn)用的3.3V）驅(qū)動電壓的性能穩(wěn)定的藍(lán)色LED。