最早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的led光源問世于20世紀60年代初。當(dāng)時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅(qū)動電流為20毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應(yīng)的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。
　　20世紀70年代中期，引入元素In和N，使led產(chǎn)生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。
　　到了20世紀80年代初，出現(xiàn)了GaAlAs的led光源，使得紅色led的光效達到10流明/瓦。
　　20世紀90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區(qū)（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區(qū)域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。