設備性能
半導體激光劃片機采用半導體泵浦激光器，一體化程度更高、光束質(zhì)量更好、運行成本更低、免維護時間更長；
關鍵部件均采用進口產(chǎn)品，整機結(jié)構(gòu)簡單、劃片速度快、精度更高，能24小時長期連續(xù)工作。
應用領域
太陽能行業(yè)單晶硅、多晶硅、非晶硅帶太陽能電池片（cell）和硅片（wafer）的劃片（切割切片）；
電子行業(yè)單晶硅和多晶硅硅片（wafer）的分離切割。
主要技術參數(shù)
激光波長 1.064μm
劃片精度 ≤±10μm
最大劃片厚度 1.2mm
劃片線寬 ≤30μm
激光重復頻率 200Hz～50kHz
最大劃片速度 200mm/s
激光最大功率 ≥20W
工作臺幅面 350×350mm
使用電源 380V（220V）/ 50Hz/ 5kVA
冷卻方式 恒溫循環(huán)水冷
工作臺 雙氣倉負壓吸附，T型臺雙工位交替工作