摘要：本發(fā)明涉及一種寬譜白光ＬＥＤ的量子點(diǎn)有源區(qū)結(jié)構(gòu)及其外延生長(zhǎng)方法，基于氮化鎵ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導(dǎo)體功率型發(fā)光二極管、應(yīng)用全固態(tài)照明光源的有源區(qū)內(nèi)含銦鎵氮－鎵氮或銦鎵氮－銦鎵氮量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的白光功率型寬譜發(fā)光二極管ＬＥＤ材料的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延生長(zhǎng)方法和相關(guān)的有源區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

提供了幾種基于ＩｎＧａＮ量子點(diǎn)有源區(qū)的新型器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并給出了外延條件的核心生長(zhǎng)參數(shù)如反應(yīng)源流量大小、Ｖ／ＩＩＩ比、襯底溫度等。本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)不含熒光轉(zhuǎn)換、高顯色指數(shù)、高亮度的ＧａＮ基白光ＬＥＤ照明需求。

同時(shí)，本發(fā)明技術(shù)也適用于（ＣｄＳｅ）ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓｅ／ＺｎＳｅ、（Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ）（Ｓｅ，Ｔｅ）／ＺｎＳｅ、（Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ）（Ｓｅ，Ｔｅ）／ＺｎＳ等ＩＩ／ＶＩ族化合物半導(dǎo)體內(nèi)含量子點(diǎn)的寬譜功率型發(fā)光二極管材料外延生長(zhǎng)，其外延生長(zhǎng)的主要優(yōu)化方法與ＩＩＩ／Ｖ族ＩｎＧａＮ量子點(diǎn)外延生長(zhǎng)的相同。