(一) 法拉第定律<br>
          　　第一定律──在鍍液進行電鍍時(電解)陰極上所“附積”的金屬重量(或陽極所溶蝕者)與所通過的電量成正比.<br>
          　　第二定律──在不同鍍液中以相同的電量進行電鍍時,其各自附積出來的重量與其化學當量成正比.<br>
          　　上述第一定律中的“電量”,即為電流強度與時間的乘積,理論單位是庫倫,實肜電位為安培.分或安培.小時.<br>
          　　以硫酸銅中的二價銅離子為例,其第一個庫倫的電量在100%的陰極效率下可以鍍出0.3294mg的純銅,每1安培小時可鍍出1.186g的純銅.電量越多鍍出越多.<br>
          　　第二定律是對不同鍍液的比較而言,上述的鍍銅量是指硫酸銅的二價銅離子而言,若鍍液換成氰化銅液的一價銅離子之時,則同樣1個安培小時的電量可以鍍出純銅2.372g,只因1價銅的化當量為63.57/1,2價銅的化學當量是63.57/2,故前者的附積量在同電量時是后者的兩倍.<br>
          (二) 陰極膜<br>
          　　電鍍進行時愈接近陰極被鍍物表面時其金屬離子濃度愈低,現(xiàn)以其濃度下降1%處起直到被鍍物表面為止的一薄層液膜稱之為“陰極膜”.薄層中由于金屬離子漸少且發(fā)生氫氣以致電阻增加導(dǎo)電不良阻礙金屬之順利登陸.且此膜也因鍍體之外形起伏而有原薄不同,外形凸起峰處膜層較薄故遠方之高濃度離子容易補充使該處優(yōu)先被鍍上,即所謂之高電流密度區(qū),反之低凹谷處自然不容易鍍上.現(xiàn)將各局部區(qū)域之電流強度以公式討論之:<br>
          Ilim=nFADCb/∮<br>
          Ilim──局部區(qū)域電流之大小<br>
          n───電子數(shù)<br>
          F───法拉第常數(shù)(鍍出1g金屬所需之電量)<br>
          A───該處面積大小<br>
          D───金屬離子之擴散系數(shù)<br>
          Cb──大量鍍液之平均濃度<br>
          ∮──陰極膜厚度<br>
          　　由上式可知降低陰極膜的厚度有助于鍍層之均勻.故電鍍需作各種攪拌如吹氣、鍍流動、陰極的擺動等其目的都在降低陰極膜的厚度,在接近被鍍物表面處得以增多金屬離子的供應(yīng)量.<br>
          　　(三) 鍍液的電陰<br>
          　　總電陰=外路及接點+生液體+陰極膜.<br>
          　　電路板在進行量產(chǎn)時待鍍的面積都很大,故需要的直流電流也極高而常達數(shù)千安培,為求良好的鍍層其電壓多控制在5伏之下.但按A=V/R之公式看來,其總電阻必須極小才能滿足此奧姆定律,故應(yīng)保持外路及接點低外路及接點,加熱鍍液以降低生液體,攪拌鍍液以降低陰極膜.否則電壓太高了會造成水彼電,解會產(chǎn)生多量的氣壓,大大影響鍍層的品質(zhì).<br>
          　　(四) 當金屬浸于其鹽類之溶液中時,其表面即發(fā)生金溶成離子或離子登陸成為金屬之置換可逆反應(yīng),直到某一電位下達到平衡.若在常溫常壓下以電解稀西安液時白金陰極表面之氫氣光做為任意零值,將各種金屬與此“零值極”連通做對比時,可找各種金屬對氫標準電極之電位來.再將金屬及其離子間之氧化或還原電位對NHE比較排列而成“電化學次序”或電動次序.以還原觀點而言,比氫活潑的金屬冠以負值使其排列在氫的上位,如鋅為-0.762,表示鋅很容易氧化成離子,不容易登陸成金屬,理論上至少要外加0.762V以上才能將之鍍出.<br>
          比氫高貴者冠以正值,排在氫的下位。愈在下位者愈容易還原鍍出來,也就是說其金屬能在自然情況下較安定,反之在上位者則容易生銹了.<br>
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