半導體照明技術(shù)具有節(jié)能、壽命長、免維護、易控制、環(huán)保等優(yōu)點，是21世紀最具發(fā)展前景的高技術(shù)領(lǐng)域之一，將取代白熾燈和日光燈，成為照明市場的主導。國際上半導體照明產(chǎn)業(yè)近年來保持40%的增長速度，預計2008年全球發(fā)光二極管（led）市場將達到56億美元。

　　面對半導體照明的巨大商機和令人鼓舞的發(fā)展前景，世界各國紛紛行動，日本、美國、歐盟、韓國等近年來相繼投入巨資，推出國家半導體照明計劃。

　　● 日本
　　
　　日本于1998年在世界率先開展“21世紀照明”計劃，旨在通過使用長壽命、更薄更輕的GaN高效藍光和紫外LED技術(shù)使得照明的能量效率提高為傳統(tǒng)熒光燈的兩倍，減少CO2的產(chǎn)生，并在2006年完成用白光發(fā)光二極管照明替代50%的傳統(tǒng)照明。該計劃由日本金屬研發(fā)中心和新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)發(fā)起和組織，參與機構(gòu)包括4所大學、13家公司和一個協(xié)會。
整個計劃的財政預算為60億日元。從1998-2002年，是耗資50億日元的第一期目標，目前已經(jīng)完成?，F(xiàn)在，日本正在實施第二期計劃，計劃到2010年，led的發(fā)光效率達到120 lm/W。

　　●美國

　　美國“半導體照明國家研究項目”由美國能源部制定，計劃用10年時間，耗資5億美元開發(fā)半導體照明，參加者包括13個國家重點實驗室、公司和大學。實施該計劃的目的是為了使美國在未來照明光源市場競爭中，領(lǐng)先于日本、歐洲及韓國等競爭者。計劃的時間節(jié)點是，2002年20 lm/W，2007年75 lm/W，2012年150 lm/W。

　　從2000年到2020年，美國半導體照明計劃預計將取得如下成績：累計的功效和節(jié)約潛力將減少2.58億噸碳污染物的排出；少建133座新的電站；預計到2010年，55%的白熾燈和熒光燈被半導體燈取代，到2025年，固態(tài)照明光源的使用將使照明用電減少一半，每年節(jié)電額達350億美元；累計節(jié)約財政開支1150億美元；形成一個每年產(chǎn)值超過500億美元的半導體照明產(chǎn)業(yè)市場；帶來高質(zhì)量的數(shù)以百萬計的工作機會。

　　●歐盟

　　歐盟的“彩虹計劃”在2000年7月啟動，委托6個大公司、2所大學，通過歐盟的補助金來推廣白光發(fā)光二極管的應(yīng)用。希望通過應(yīng)用半導體照明實現(xiàn)高效、節(jié)能、不使用有害環(huán)境的材料、模擬自然光的目標。

　　●韓國

　　韓國“GaN半導體開發(fā)計劃”從2000年至2008年，由政府投入4.72億美元，企業(yè)投入7.36億美元。研究項目包括以GaN為研究材料的白光LED，藍、綠光Laser Diode 及高功率電子組件HEMT三大領(lǐng)域，分別由KnowLEDge*On、Samsung公司及LG 公司負責進度管理。希望到2008年，led發(fā)光效率達80 lm/W。