田中貴金屬工業(yè)宣布，該公司與SUSSMicroTec合作開發(fā)出了采用亞微米尺寸金（Au）粒子的圖案轉印及接合技術。計劃2012年3月開始銷售采用該技術的轉印基板和制造裝置。

    目前，在MEMS、led及小型電子部件等的封裝技術中一直采用的是配合電鍍、絲網印刷及濺射等在晶圓上形成Au-Au及Ag-Sn（錫）等金屬接合方法。但是，金屬接合存在的課題是需要高溫工藝且生產效率低。

    此次開發(fā)出了能在150℃的低溫下將Ag粒子統(tǒng)一圖案轉印到硅晶圓上的技術。轉印后的Au粒子能在200℃的低溫下能在晶圓上實現金屬接合。因此，能夠實現有利于吸收接合面高低差且耐熱性高的氣密封裝和電布線。另外，可將價格昂貴的Au材料的利用效率提高到100％。此次的合作開發(fā)得到了早稻田大學納米技術研究所莊子習一教授和水野潤副教授的協(xié)助。