隨著led產業(yè)的發(fā)展和繁榮，這也直接推動了技術的不斷進步和突破。近日，由南昌大學江風益教授等完成的硅襯底LED技術獲得2015年國家技術發(fā)明獎一等獎，這力證中國對自主創(chuàng)新的硅襯底LED技術的重視，也標志著我國led產業(yè)將迎來新的發(fā)展機遇。硅襯底LED技術改變了全球LED產業(yè)格局，江西憑借技術優(yōu)勢、產業(yè)基礎，打造“南昌光谷”的步伐無疑將更快更穩(wěn)。

 

　　在硅上制備高光效GaN基LED一直是學術界夢寐以求的目標。然而由于硅和GaN巨大的晶格失配和熱失配導致的外延膜龜裂、晶體質量差，以及襯底不透明導致的出光效率低等問題長期未能解決，致使業(yè)界普遍認為，在硅上制備高光效GaN基LED是不可能的事，硅襯底GaN基LED路線幾乎被判“死刑”。

 

　　然而經(jīng)過三千多次實驗，南昌大學江風益教授領銜的技術研發(fā)團隊終于在國際上率先攻克了這一世界難題。

 

　　晶能光電LED芯片自動分選車間

 

　　項目組研究員付羿博士介紹說，硅襯底LED技術優(yōu)勢明顯，可以利用大尺寸、低成本的硅襯底跟自動化的工藝相結合，實現(xiàn)了led生產成本的大幅度降低，目前該項技術已經(jīng)申請或擁有國際國內專利330多項，其中已授權發(fā)明專利147項，實現(xiàn)了外延芯片核心部件每一層都有專利保護。

 

　　目前，第一條藍寶石LED技術路線是產業(yè)界采用的主流技術路線，第二條碳化硅LED技術路線屬“貴族”路線。這兩條技術路線的核心發(fā)明專利分別被日、美等國所壟斷，對我國LED產業(yè)發(fā)展形成專利壁壘。硅襯底LED技術成為全球第三條藍光LED技術路線，使我國LED產業(yè)從根本上避開了與前兩條技術路線發(fā)生專利糾紛。

 

　　硅襯底LED技術引領產業(yè)發(fā)展

 

　　前幾年，LED產品高端市場基本依賴于進口，特別是高端照明市場中所需的大功率led芯片，國內基本沒有生產。汽車照明、戶外照明、高端室內照明、手機閃光燈、電視背光等高端LED領域被國外廠商壟斷。

 

　　晶能光電硅襯底LED芯片生產

 

　　2012年6月，晶能光電向全球宣布硅襯底大功率led芯片的量產，這不僅標志著硅襯底LED技術的成熟，也標志著國外壟斷大功率led芯片歷史的結束。

 

　　作為目前為止全球唯一一家量產硅襯底led芯片的廠家，晶能光電不斷優(yōu)化工藝，提升產品性能，生產的硅襯底大功率LED芯片性能與國際主流廠商相當，并成為大中華區(qū)最大的大功率LED芯片和大功率陶瓷封裝led生產廠家。

 

　　江西硅襯底LED技術產業(yè)化的成功，使得國際大廠如歐司朗、東芝、三星等都在投入巨資研發(fā)硅襯底LED技術。

 

　　1月8日，由南昌大學江風益教授等完成的硅襯底LED技術獲得2015年國家技術發(fā)明獎一等獎。硅襯底LED技術改變了全球LED產業(yè)格局，江西憑借技術優(yōu)勢、產業(yè)基礎，打造“南昌光谷”的步伐無疑將更快更穩(wěn)。

 

　　硅襯底LED產業(yè)集群規(guī)模初顯

 

　　自2012年以來，晶能光電開啟了“逆襲”之勢，在國內大部分LED企業(yè)利潤嚴重下滑的市場背景下，保持30%的毛利，銷售收入連續(xù)三年近100%的增長。2012年開始滿產滿銷，2013年收入3300萬美元，2014年收入6099萬美元。

 

　　目前以硅襯底LED技術為基礎，以晶能光電為核心，通過產業(yè)鏈上、中、下游垂直整合，在全國已形成擁有12家企業(yè)的硅襯底LED產業(yè)鏈，初具集群規(guī)模，輻射帶動效應明顯。2013年硅襯底LED產業(yè)鏈產值超過10億元，2014年全產業(yè)鏈實現(xiàn)產值20億元，2015年預計可達50億元，未來三年可形成百億產值規(guī)模。

 

　　具有核心技術的產業(yè)才能可持續(xù)健康發(fā)展

 

　　“如果更多的企業(yè)加入硅襯底LED產業(yè)鏈，可形成從高端裝備、原材料、外延芯片制造、封裝器件模組，再到照明應用的完整的具有核心競爭力的照明產業(yè)集群，我國LED產業(yè)才可實現(xiàn)由內及外的擴張性發(fā)展。”晶能光電戰(zhàn)略業(yè)務部經(jīng)理王瓊向江西網(wǎng)絡臺記者表示，以此技術為基礎的硅襯底led照明產業(yè)集群將成為未來我國LED產業(yè)應對專利訴訟的強大力量。